基于太赫兹发射光谱探测SnBi$_2$Te$_4$/Co拓扑绝缘器界面的超快自旋-电荷转换
材料科学
2022-03-17 v1
摘要
涉及拓扑表面态(TSS)的自旋-电荷转换(SCC)是面向太赫兹(THz)发射的高效自旋电子器件最有前景的途径之一。此处，太赫兹产生通常主要通过SCC发生，即高效动态自旋注入到自旋锁定的TSS中。本工作中，我们展示了来自纳米级厚拓扑绝缘体(TI)/铁磁结——SnBiTe/Co——的显著太赫兹发射，该结专门设计为避免体带在费米能级与TSS交叉，这不同于其母体材料BiTe。太赫兹发射时域光谱(TDS)被用于通过研究TI厚度与太赫兹发射的角依赖性来指示TSS对SCC的贡献。本工作说明了太赫兹发射TDS作为角分辨光电子能谱(ARPES)方法之外的有力工具，用于研究TI/铁磁体双层膜的界面自旋电子性质。
引用
@article{arxiv.2203.08756,
title = {Ultrafast spin-charge conversion at SnBi$_2$Te$_4$/Co topological insulator interfaces probed by terahertz emission spectroscopy},
author = {E. Rongione and S. Fragkos and L. Baringthon and J. Hawecker and E. Xenogiannopoulou and P. Tsipas and C. Song and M. Micica and J. Mangeney and J. Tignon and T. Boulier and N. Reyren and R. Lebrun and J. -M. George and P. Lefèvre and S. Dhillon and A. Dimoulas and H. Jaffres},
journal= {arXiv preprint arXiv:2203.08756},
year = {2022}
}
备注
to appear in Advanced Optical materials (02/2022)