直至 1nm 直径的碳纳米管电气接触
介观与纳米尺度物理
2015-06-25 v2
摘要
铱 (Rh) 在直径 d > ~ 1.6 nm 的单壁碳纳米管 (SWNT) 上制作近欧姆接触的效果类似于钯 (Pd)。对于直径 d < ~ 1.6 nm 的半导体 SWNT (S-SWNT) 与 Rh 或 Pd 之间存在不可忽略的正斯托克势垒 (SB)。使用 Rh 和 Pd 接触时，SWNT 场效应晶体管 (FET) 的特性以及接触处的势垒高度可基于 SWNT 的直径进行预测，而无需在器件之间出现随机变化。意外的是，对于直径较小的金属 SWNT (M-SWNT)，电气接触也呈现出直径依赖性。对于直径 < ~ 1.0 nm 的 M-SWNT，欧姆接触困难，这可能是由于隧穿势垒所致。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0505431,
title = {Electrical Contacts to Carbon Nanotubes Down to 1nm in Diameter},
author = {Woong Kim and Ali Javey and Ryan Tu and Jien Cao and Qian Wang and Hongjie Dai},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0505431},
year = {2015}
}
备注
Applied Physics Letters, in press