铅在改性硅(111)表面生长初期的电导率
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v1
摘要
在 105 K 下对 Si(111)-(6x6)Au 表面上沉积最高达 4.2 单层膜的退火后铅进行的探针沉积过程中测量了电导率和 RHEED 强度随覆盖率的变化。实验表明，所选基片对铅原子生长过程中尤其是非常初始生长阶段电导率行为的影响显著。层间生长过程中的电导率振荡与 RHEED 强度振荡相关。根据 Trivedi 和 Aschcroft 所述理论（Phys.Rev.B 38,12298 (1988)）对电导率行为进行了分析。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0601667,
title = {Electrical conductance at initial stage in epitaxial growth of Pb on modified Si(111) surface},
author = {Z. Korczak and T. Kwapinski},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0601667},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 3 figures. Surf. Sci. - accepted