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激子绝缘体的电击穿

介观与纳米尺度物理 2024-07-04 v2 强关联电子

摘要

在本文中,我们提出 BCS 极限下激子绝缘体的一种新电击穿机制,其从根本上不同于传统带绝缘体中观测到的 Zener 击穿机制。我们的新机制源于激子凝聚多体基态的不稳定性,由电场存在下极化能与凝聚能之间的强烈竞争所引起。我们将此机制称为“多体击穿”。为研究这一新机制,我们提出有限电场下的 BCS 型试探波函数,并用它数值研究多体击穿。我们的结果揭示了两类不同的电击穿行为。若系统尺寸大于临界值,施加电场时 Zener 隧穿过程首先开启,但激子能隙保持直至场强达到多体击穿的临界值,此后激子能隙消失,系统变为高导电金属态。然而,若系统尺寸远小于临界值,由于多体击穿发生于 Zener 隧穿开启之前,中间隧穿相消失。局域能隙的突然消失导致电流-电压(IVI-V)曲线中的“关-开”特征,为区分激子绝缘体与普通绝缘体提供了直接方法。

关键词

引用

@article{arxiv.2302.07543,
  title  = {Electrical Breakdown of Excitonic Insulator},
  author = {Yuelin Shao and Xi Dai},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2302.07543},
  year   = {2024}
}

备注

14 pages, 7 figures