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薄膜拓扑绝缘体中的激子凝聚

强关联电子 2015-05-19 v2

摘要

我们研究了薄膜拓扑能带绝缘体中的多体物理,其中边缘间库仑相互作用可导致激子凝聚转变。我们探究了激子凝聚量子临界点的普适类。在不同的化学势和相互作用下,激子凝聚可属于z=2z = 2平均场、3d XY或Yukawa-Higgs普适类。还讨论了激子凝聚与时间反演对称性破缺之间的相互影响。通过栅极电压调节薄膜两个表面的化学势,可以在实验上检验我们工作的预测。我们还表明,对激子凝聚的所有分析可直接应用于具有吸引性边缘间相互作用的自旋三重态超导相。

关键词

引用

@article{arxiv.1008.0097,
  title  = {Exciton condensations in thin film topological insulator},
  author = {Eun Gook Moon and Cenke Xu},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1008.0097},
  year   = {2015}
}

备注

5 pages, 3 figures, published version