用于神经形态应用的外延氧化物中的电学与声学自振荡
应用物理
2020-05-11 v2 材料科学
摘要
开发能够导致人工神经元（神经晶体管）和突触（忆阻器）紧凑版本的材料是新兴神经形态材料研究领域的主要愿景。振荡电路作为神经晶体管很有趣，可模拟动作电位的发放。我们展示了由半导体 TbMnO3 外延薄膜制造的室温自振荡器件。我们表明这些电学振荡诱导了伴随的机械振荡，产生可听声波，为与其他器件的接口提供了额外的自由度。控制振荡机制的内在本质带来了高度的控制性和可重复性。在外延钙钛矿氧化物中获得这些特性，为将自振荡特性与其他压电、铁电或磁性钙钛矿氧化物的特性相结合，在紧凑异质结构中实现混合神经晶体管-忆阻器功能开辟了道路。
引用
@article{arxiv.2004.09903,
title = {Electrical and acoustic self-oscillations in an epitaxial oxide for neuromorphic applications},
author = {M. Salverda and B. Noheda},
journal= {arXiv preprint arXiv:2004.09903},
year = {2020}
}
备注
6 manuscript pages, 2 figures, 1 supplementary figure, 1 supplementary table