封装石墨烯纳米间隙中的电场驱动电导开关

在空气中或真空中对石墨烯进行反馈控制电击穿，是制备隧穿结、纳米间隙和量子点的成熟方法。我们表明，该方法同样适用于使用氢倍半硅氧烷制备的封装石墨烯收缩结构。电子束曝光后氢倍半硅氧烷抗蚀剂留下的类二氧化硅层在石墨烯电击穿后保持完好。我们探究了通过反馈控制击穿制备的石墨烯纳米结构中常见的电导开关行为，并表明其可归因于封装层下方石墨烯的原子尺度涨落。我们的发现为制备封装室温单电子纳米器件开辟了新途径，并阐明了这些石墨烯纳米器件中电导开关的潜在物理机制。