室温下沿 Si $\langle$100$\rangle$ 方向的高效自旋输运

我们在横向自旋阀（LSV）中发现 Si 在室温下的高效自旋输运。当 LSV 中自旋输运通道的晶体取向从常规解理方向 $\langle$110$\rangle$ 改为 $\langle$100$\rangle$ 时，自旋信号的最大幅值显著增强。基于一维自旋扩散模型的分析可知，Si$\langle$100$\rangle$ LSV 中的自旋注入/探测效率大于 Si$\langle$110$\rangle$ 者。我们推断，在基于 Si 的 LSV 中，纯自旋流的自旋探测效率与 Si 导带谷结构的晶体学取向有关。