基于具开放边界条件的 GW+DFT 在单层 MoS$_2$ 中高效精确的缺陷能级建模
材料科学
2022-11-23 v1 强关联电子
摘要
在多体微扰理论（MBPT）与密度泛函理论（DFT）相融合的框架下，提出了一种新颖的缺陷子空间投影 GW 方法，即所谓的 p-GW。通过开放边界自能避免周期性缺陷干扰，我们表明 p-GW 能够高效且准确地描述二维（2D）单层 MoS 中的准粒子关联缺陷能级。通过将源自硫空位与吸附原子的两种不同缺陷态与现有理论与实验工作进行比较，我们表明我们对 DFT 缺陷能级的 GW 修正是被精确建模的。基于这些发现，我们期望我们的方法能为各类 2D 过渡金属硫族化物（TMD）单层提供真实的陷阱态，从而能够通过真实模拟研究缺陷诱导效应对这些材料器件特性的影响。
引用
@article{arxiv.2206.14512,
title = {Efficient and accurate defect level modelling in monolayer MoS$_2$ via GW+DFT with open boundary conditions},
author = {Guido Gandus and Youseung Lee and Leonard Deuschle and Mathieu Luisier and Daniele Passerone},
journal= {arXiv preprint arXiv:2206.14512},
year = {2022}
}