衬底表面重构与取向对 MoTe$_2$/EuO 中自旋-谷极化的影响
材料科学
2020-10-15 v1
摘要
我们基于第一性原理计算研究了铁磁半导体 EuO 的 (111) 和 (001) 表面上 MoTe 单层的自旋-谷极化。我们考虑了 EuO(111) 的表面重构。我们发现，与理想 EuO(111) 的情况不同，重构后的 EuO(111) 与 MoTe 覆盖层之间不存在直接化学键合。然而，MoTe 的态与衬底态之间存在强杂化，这对谷产生了显著影响。由磁邻近效应引起的谷极化依赖于界面结构的细节，其范围在几 meV 到约 40 meV 之间。这些值比理想 EuO(111) 所诱导的谷极化至少小一个数量级。当 MoTe 单层与 EuO(001) 界面接触时，谷极化约为 3.2 meV，对界面结构不敏感。通过低能有效哈密顿量模型，EuO(001) 诱导的有效塞曼场约为 27 T，与实验获得的 WSe/EuS 相当。
引用
@article{arxiv.2010.06755,
title = {Effects of substrate-surface reconstruction and orientation on spin-valley polarization in MoTe$_2$/EuO},
author = {Ao Zhang and Zisheng Gong and Ziming Zhu and Anlian Pan and Mingxing Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2010.06755},
year = {2020}
}
备注
7 pages, 5 figures