自旋-谷劈裂反铁磁体中磁光效应的层控制及其量子化
介观与纳米尺度物理
2024-03-26 v1
摘要
磁光效应（MOE）反映了磁性与光之间的基本相互作用，一直作为探测磁有序、能带拓扑和谷指数的强大探针。在此，基于多铁性和拓扑双层反铁磁体（AFM），我们提出了一种 MOE 的层控制（L-MOE），该效应通过层堆叠或电场效应产生和湮灭。L-MOE 的关键特征是由铁电极化、Neel 矢量或电场方向控制的符号可逆响应。此外，符号可逆的 L-MOE 可以在拓扑绝缘 AFM 中被量子化。我们揭示了，这种可切换的 L-MOE 源于自旋-谷劈裂 AFM 中自旋守恒和自旋翻转带间跃迁的综合贡献，这种现象在传统 AFM 中未被观察到。我们的发现将古老的 MOE 与层电子学、谷电子学和多铁性等新兴领域联系起来，在这些领域可能具有巨大的潜力。
引用
@article{arxiv.2403.16701,
title = {Layer Control of Magneto-Optical Effects and Their Quantization in Spin-Valley Splitting Antiferromagnets},
author = {Jiaqi Feng and Xiaodong Zhou and Meiling Xu and Jingming Shi and Yinwei Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:2403.16701},
year = {2024}
}