下一近邻相互作用对一维四分之一填满电子系统的影响
强关联电子
2021-06-16 v1
摘要
我们考察了下一近邻排斥对由四分之一填满带和局部相互作用、最近邻相互作用构成的一维相互作用电子系统电子态的影响。我们推导了围绕波数 （：费米波数）的电子有效哈密顿量，并应用了正则化群方法处理经过Bose化的哈密顿量。结果表明，下一近邻排斥使 电荷有序不稳定，抑制了自旋涨落。进一步评估了激发能隙和自旋易变性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0009208,
title = {Effects of Next-Nearest-Neighbor Repulsion on One-Dimensional Quarter-Filled Electron Systems},
author = {H. Yoshioka and M. Tsuchiizu and Y. Suzumura},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0009208},
year = {2021}
}
备注
19 pages, 8 figures, submitted to J. Phys. Soc. Jpn