四分之一填充棋盘格中的电荷自由度

F. Pollmann; J. J. Betouras; E. Runge; P. Fulde

doi:10.1016/j.jmmm.2006.10.348

四分之一填充棋盘格中的电荷自由度

强关联电子 2007-12-03 v2

作者: F. Pollmann , J. J. Betouras , E. Runge , P. Fulde

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摘要

为了系统地研究具有几何阻挫的晶格中的电荷自由度，我们考虑了四分之一填充的棋盘格上的自旋less费米子，具有最近邻跳跃 $t$ 和最近邻排斥 $V$ 。在 $|t|\ll V$ 极限下，最低非零阶的有效哈密顿量由环交换（ $\sim t^{3}/V^{2}$ ）给出。我们表明该系统可以等效地用硬核玻色子描述，并将模型映射到约束U(1)晶格规范理论。

关键词

棋盘格电荷自由度几何阻挫自旋less费米子环交换晶格规范理论

引用

@article{arxiv.cond-mat/0609122,
  title  = {Charge degrees in the quarter-filled checkerboard lattice},
  author = {F. Pollmann and J. J. Betouras and E. Runge and P. Fulde},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0609122},
  year   = {2007}
}

备注

Proceedings of ICM2006

四分之一填充棋盘格中的电荷自由度

摘要

关键词

引用

备注

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