受挫晶格上的强关联电子

我们综述了在几何受挫晶格上强关联电子的电荷自由度方面的近期工作。特别关注了棋盘格晶格（即烧绿石晶格的二维版本）和kagome晶格。对于棋盘格晶格，研究表明在半填充（忽略自旋自由度）和四分之一填充（包含自旋自由度）时，可能存在分数电荷$\pm$e/2的激发。三维烧绿石晶格也是如此。在前一种情况下，分数电荷是禁闭的。讨论了弱常数禁闭力的起源，并指出了与夸克和弦理论的一些相似性。对于棋盘格晶格，我们描述了一种基于紧致U(1)规范理论的表述。此外，还讨论了kagome晶格在特定填充下铁磁性的新动力学机制。