层堆垛与应变对二维一氧化锡中电子输运的影响
材料科学
2019-09-04 v1
摘要
一氧化锡是一种有趣的三维材料，因为它是具有双极导电性的罕见氧化物半导体。然而，较低的室温迁移率限制了 SnO 未来的应用。因此，我们系统研究了不同层结构与应变对 SnO 电子-声子耦合及声子限制迁移率的影响。高频区的 A2u 声子模是不同层结构中与电子耦合的主要贡献者。且仅存在于双层结构中的 Sn 原子轨道杂化改变了导带边并显著降低了电子-声子耦合，因而双层的电子输运性能优于其他结构。此外，单层结构中 -1.0% 的压缩应变使导带底（CBM）由 Gamma 点及沿 M-Gamma 线的两个谷构成，亦导致由 Eg-1 模辅助的谷间电子散射。然而，电子-声子耦合由高频（A2u）向低频（Eg-1）的区域转移，致使迁移率变化不显著。
引用
@article{arxiv.1812.07301,
title = {Effects of layer stacking and strain on electronic transport in 2D tin monoxide},
author = {Yanfeng Ge and Yong Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1812.07301},
year = {2019}
}
备注
7 pages, 7 figures