高能电子辐照对六方氮化硼中量子发射体的影响
材料科学
2018-05-23 v1 光学
量子物理
摘要
六方氮化硼（hBN）的单层与多层是有前景的室温单光子发射体（SPEs）宿主。本工作中，我们探索高能（~MeV）电子辐照作为在 hBN 中生成稳定 SPEs 的手段。我们研究了四种剥离 hBN 薄片——即高纯度多层、同位素纯 hBN、富碳 hBN 多层以及单层材料——发现电子辐照在所有样品中均显著提高了发射体浓度。此外，所构筑的发射体分布于 hBN 薄片各处（不仅限于薄片边缘或晶界），且无需在电子辐照后对宿主材料进行高温退火激活。我们的结果为 hBN SPEs 的受控形成提供了重要见解，并可能有助于确定其晶体学起源。
引用
@article{arxiv.1805.08589,
title = {Effects of high energy electron irradiation on quantum emitters in hexagonal boron nitride},
author = {Hanh Ngoc My Duong and Minh Anh Phan Nguyen and Mehran Kianinia and Hiroshi Abe and Takeshi Ohshima and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and James H. Edgar and Igor Aharonovich and Milos Toth},
journal= {arXiv preprint arXiv:1805.08589},
year = {2018}
}