Ga_{1-x}Mn_xAs 稀释极限下的有效哈密顿量
材料科学
2009-11-07 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们推导了在稀释极限下 Ga_{1-x}Mn_xAs 的有效哈密顿量。在该模型中，Ga_{1-x}Mn_xAs 可描述为由自旋 F=3/2 的极子在 Mn 原子位点之间跳跃并耦合到局部 Mn 自旋。我们通过微scopic 计算确定了模型参数。该方法以非扰动方式处理强库仑相互作用，捕捉自旋轨道耦合和无序效应的影响，适用于其他 p-d 掺杂磁性半导体。该模型适用于 Mn 浓度未补偿至 x 约 0.03 的情况。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0212074,
title = {Effective Hamiltonian for Ga_{1-x}Mn_xAs in the Dilute Limit},
author = {Gregory A. Fiete and Gergely Zarand and Kedar Damle},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0212074},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 4 figures, Version to appear in Phys. Rev. Lett