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$Z_b$态对$\Upsilon(3S)\to\Upsilon(1S)\pi\pi$衰变的影响

高能物理 - 唯象学 2016-03-07 v3 高能物理 - 实验 核理论

摘要

在色散理论框架内,我们分析最轻Υ\Upsilon态之间的双π跃迁,Υ(nS)Υ(mS)ππ\Upsilon(nS) \rightarrow \Upsilon(mS) \pi\pi,其中m<n3m < n \leq 3。特别地,我们考虑两个中间底夸克偶素类奇异态Zb(10610)Z_b(10610)Zb(10650)Z_b(10650)的可能效应。ππ\pi\pi重散射效应使用色散理论以与模型无关的方式加以考虑。我们确认,仅将色散表示与领头手征振幅匹配无法重现衰变Υ(3S)Υ(1S)ππ\Upsilon(3S) \rightarrow \Upsilon(1S) \pi\pi中奇特的双峰ππ\pi\pi质量谱。底夸克偶素类ZbZ_b态的存在可以自然地解释这一反常。我们还指出,必须适当提取ZbZ_b态到Υ(nS)π\Upsilon(nS)\pi的耦合强度,这只有在数据分析中对ZbZ_b态使用类Flatté参数化时才有可能。

关键词

引用

@article{arxiv.1512.03583,
  title  = {Effect of $Z_b$ states on $\Upsilon(3S)\to\Upsilon(1S)\pi\pi$ decays},
  author = {Yun-Hua Chen and Johanna T. Daub and Feng-Kun Guo and Bastian Kubis and Ulf-G. Meißner and Bing-Song Zou},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1512.03583},
  year   = {2016}
}

备注

21 pages, 6 figures. The final version published in Phys. Rev. D 93, 034030 (2016)