紫外光照射对XPS测量中电荷中和的影响
仪器与探测器
2024-09-26 v2 材料科学
摘要
当对绝缘体表面进行XPS分析时，通常会因表面荷电而发生谱峰位移和变形。为了获得可靠的XPS测量结果，中和技术已被广泛采用，但其有效性仍然有限，因此迫切需要新的中和技术。在此，通过引入紫外光照射，我们获得了稳定的XPS谱图，其中所有峰都经历了一个减小且近乎恒定的位移，而没有显著的变形和展宽，这意味着引入紫外光不仅可以大大减弱表面荷电的强度，还能显著提高XPS测量过程中表面荷电的时间稳定性和空间均匀性。本文将此现象称为紫外辅助中和，并发现其效果与最常用的双束电荷中和一样有效。进一步的观察表明，对荷电问题的抑制源于紫外激发的光电子吸附到X射线照射区域。这种中和方法结合结合能参考，有望成为解决XPS测量中荷电问题的一种有前景的替代技术。
引用
@article{arxiv.2409.00663,
title = {Effect of UV light irradiation on charge neutralization in XPS measurements},
author = {Lei Zhu and Yunguo Yang and Jianhua Cai and Xuefeng Xu and Liran Ma and Jianbin Luo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2409.00663},
year = {2024}
}