表面对球形半导体纳米晶体中电子量子尺寸能级与电子 g 因子的影响
材料科学
2009-11-07 v1
摘要
在零磁场和弱磁场下，利用八带有效质量模型研究了球形纳米晶体中电子量子尺寸能级的结构。纳米晶体表面的影响通过对包络波函数在表面施加的边界条件进行建模。我们表明，价带的自旋-轨道分裂会导致激发态导带状态的表面诱导自旋-轨道分裂，并导致裸纳米晶体中电子产生额外的表面诱导磁矩。这种额外的磁矩表现为所有量子尺寸能级（包括基态 1S 电子态）的线性塞曼分裂中存在非零的表面贡献。通过拟合 CdSe 纳米晶体基态电子 g 因子的尺寸依赖性，我们确定了边界条件的合适表面参数。在弱磁场和强磁场极限下考虑了激发态电子的结构。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0210510,
title = {Effect of the Surface on the Electron Quantum Size Levels and Electron g-Factor in Spherical Semiconductor Nanocrystals},
author = {A. V. Rodina and Al. L. Efros and A. Yu. Alekseev},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0210510},
year = {2009}
}
备注
11 pages, 4 figures, submitted to Phys. Rev. B