关于清洁GaN(0001)表面表面态斯塔克效应的本质
材料科学
2016-11-09 v1
摘要
最近开发的模型允许模拟电场对表面态的影响。平板模拟的结果显示，在电场中量子态的能量发生显著变化，即与表面相关的斯塔克效应（SSSE - 表面态斯塔克效应）。对GaN平板的详细研究表明，导带和价带能量的空间变化揭示了SSSE现象的真实本质。结果表明，电位的长程变化与导带和价带能量的变化一致。然而，在距离GaN(0001)表面短距离处，价带跟随电位变化，而导带态能量由于表面态的量子重叠排斥而增加。还表明，在清洁GaN(0001)表面，费米能级被钉扎在导带底长程投影下方约0.34 eV处，并由于表面态的电子填充而随场变化约0.31 eV。
关键词
引用
@article{arxiv.1205.6724,
title = {On the nature of Surface States Stark Effect at clean GaN(0001) surface},
author = {Paweł Kempisty and Stanisław Krukowski},
journal= {arXiv preprint arXiv:1205.6724},
year = {2016}
}
备注
16 pages, 7 figures