Rashba 分裂对拓扑绝缘体薄膜中 RKKY 相互作用的影响
介观与纳米尺度物理
2017-07-14 v1 材料科学
摘要
本工作中，我们研究了在有限和零化学势下 Rashba 分裂对拓扑绝缘体（TI）薄膜中 RKKY 相互作用的影响。我们发现包含 TI 薄膜在内的 Rashba 材料的自旋磁化率强烈依赖于距离矢量的方向。此外，我们在自旋磁化率张量的非对角项中发现了另一项，与著名的类 DM 项不同，它是对称的。我们展示了如何通过施加垂直于表面的电场以及通过微小的化学掺杂来调谐 RKKY 相互作用，从而极大地增强 RKKY 项。我们给出了两种不同情形的结果，即磁杂质的表面间配对以及表面内配对。这两种情形的行为完全不同，我们通过将每个表面的态密度映射到能带色散来描述。
引用
@article{arxiv.1702.02307,
title = {Effect of Rashba splitting on RKKY interaction in topological insulator thin films},
author = {Mahroo Shiranzaei and Fariborz Parhizgar and Hosein Cheraghchi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.02307},
year = {2017}
}