相邻量子点电荷态对量子霍尔效应的影响

对薄膜层与InAs自组装量子点（QD）之间被薄隧barrier分隔的二维电子体系（2DES）进行磁阻测量。尽管QD层靠近2DES，仍可观察到量子霍尔效应的清晰特征。然而，在填满因子$\nu<1$的磁场范围内，当施加正电压到前栅极时，横向电阻（$\rho_{xx}$）和洞仙谱（$\rho_{xy}$）被显著抑制。只有在$\nu<1$的场域中，量子点中的电荷态才对靠近的2DES的输运性质产生影响。提出该异常抑制效应与由量子点与2DES中电子之间的自旋翻转过程引发的自旋激发有关。