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垂直磁场对双栅控双层石墨烯的影响

介观与纳米尺度物理 2024-02-29 v1

摘要

通过研究垂直磁场 BB 对双栅控 AB 堆垛双层石墨烯(AB-BLG)的影响,我们得出了关于栅极 UU_\infty 弹道输运的几个关键发现。首先,我们发现 BB 的存在导致透射率降低。在较高的 BB 值下,我们观察到在大范围内出现了反克莱因隧穿(anti-Klein tunneling)。其次,与文献中报道的结果(即在施加 increasing 面内赝磁场时观察到高电导峰)相反,我们发现随着 BB 的增加电导率下降。然而值得注意的是,在这两种情况下,振荡次数相较于无磁场(B=0B = 0)的研究结果均有所减少。第三,在狄拉克点(neutrality point),我们证明电导率随 BB 值增大而降低并最终趋于零,这与面内场无论取何值电导率保持不变的结果形成对比。最后,我们考虑了栅极 U=0.2γ1U_\infty = 0.2 \gamma_1 下的扩散输运并观察到两种情形:当能量 EE 小于 UU_\infty 时,电导率振荡幅度随 BB 增加而增大,而在 E>UE>U_\infty 的情况下则减小。

关键词

引用

@article{arxiv.2402.18399,
  title  = {Effect of a perpendicular magnetic field on bilayer graphene under dual gating},
  author = {Mouhamadou Hassane Saley and Abderrahim El Mouhafid and Ahmed Jellal},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2402.18399},
  year   = {2024}
}

备注

6 pages, 5 figures