四分之三填充系统$\alpha$-(BEDT-TTF)$_2$I$_3$中的边缘态
介观与纳米尺度物理
2011-06-14 v2
摘要
我们从理论上研究了二维导体-(BEDT-TTF)I中的边缘态。我们表明，由于单胞中有四个位点，Dirac点和边缘态不仅出现在半填充时，也出现在3/4和1/4填充时。这种情况与石墨烯形成对比，在石墨烯中，Dirac点和边缘态仅出现在半填充情形。研究表明，边缘态的局域长度可以变得非常大。
引用
@article{arxiv.1008.1832,
title = {Edge states in the three-quarter filled system, $\alpha$-(BEDT-TTF)$_2$I$_3$},
author = {Yasumasa Hasegawa and Keita Kishigi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1008.1832},
year = {2011}
}