半填充量子霍尔态由边缘诱导的拓扑相变

我们证明了在半填充的量子霍尔系统中，仅边缘势就足以驱动 Pfaffian 与反-Pfaffian 拓扑相之间的相变。我们推测即便在存在破坏粒子-空穴对称性的弱体相互作用的真实系统中，这一结论依然成立。边缘势的强烈效应可由竞争相的不同拓扑位移来理解，在圆盘几何上表现为固定粒子数下轨道数的变化。特别地，我们解析地证明了圆盘上哈密顿量的粒子-空穴共轭等价于边缘势的调控，这使我们能够数值上明确展示该相变。本文还讨论了边缘势在各实验背景中的重要性，包括最近发现的粒子-空穴对称相。