Si(111)上铟纳米线相变的驱动力
介观与纳米尺度物理
2013-03-15 v1
摘要
Si(111)上铟纳米线相变的确切驱动力一直存在争议，究竟是源于Peierls不稳定性，还是仅仅由于周期性晶格畸变导致的能量降低。目前的范德华(vdW)修正杂化密度泛函计算预测，低温8x2结构（其构建单元为铟六边形）在能量上优于室温4x1结构。我们表明，自相互作用误差的修正和vdW相互作用的包含在描述共价键、带隙打开以及六边形结构的能量学中起着关键作用。结果证明，六边形的形成是由于晶格畸变导致的简单能量降低，而不是由费米面嵌套引起的电荷密度波形成。
引用
@article{arxiv.1303.1001,
title = {Driving force of phase transition in Indium nanowires on Si(111)},
author = {Hyun-Jung Kim and Jun-Hyung Cho},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.1001},
year = {2013}
}
备注
Phys. Rev. Lett. accepted (2013)