具有界面 Dzyaloshinskii-Moriya 相互作用的 CoFeB 基异质结构中的畴壁电阻
介观与纳米尺度物理
2019-10-08 v1 材料科学
摘要
我们研究了 W/Ta/CoFeB/MgO 异质结构中的畴壁电阻。通过改变 Ta 层厚度，借助界面 Dzyaloshinskii-Moriya 相互作用的变化来控制畴壁类型。我们发现畴壁电阻随 Ta 层厚度几乎保持恒定。各向异性磁电阻、自旋霍尔磁电阻与反常霍尔效应的贡献相加，能很好地描述厚 Ta 层薄膜的畴壁电阻。然而，对于发现手性类 Néel 畴壁的薄 Ta 层薄膜，仍存在偏差。这些结果表明从电阻测量研究畴壁类型的困难性。
引用
@article{arxiv.1806.07750,
title = {Domain wall resistance in CoFeB-based heterostructures with interface Dzyaloshinskii-Moriya interaction},
author = {Yuto Ishikuro and Masashi Kawaguchi and Yong-Chang Lau and Yoshinobu Nakatani and Masamitsu Hayashi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1806.07750},
year = {2019}
}