TaN|CoFeB|MgO 异质结构中磁手性的界面控制
介观与纳米尺度物理
2013-08-09 v1 材料科学
摘要
近期对超薄磁性异质结构中自旋轨道效应的理解开辟了电控磁矩的新范式。Dzyaloshinskii-Moriya 相互作用 (DMI) 被认为在形成可由自旋霍尔力矩驱动的 Neel 型畴壁中起关键作用，该力矩源于邻近非磁性层中通过自旋霍尔效应产生的自旋流。在此，我们表明，决定畴壁随电流运动方向的 DMI 符号，可以通过改变相邻的非磁性层来改变。我们发现，在 Ta|CoFeB|MgO 异质结构中，当 Ta 底层掺杂氮时，畴壁螺旋的旋转方向会发生反转。Ta 和掺氮 Ta 底层的自旋霍尔角具有相同的符号，这表明 DMI 的符号是在界面处定义的。取决于旋转方向，自旋转移力矩和自旋霍尔力矩既可以相互竞争也可以相互辅助，从而影响电流驱动畴壁运动的效率。
引用
@article{arxiv.1308.1751,
title = {Interface control of the magnetic chirality in TaN|CoFeB|MgO heterosctructures},
author = {Jacob Torrejon and Junyeon Kim and Jaivardhan Sinha and Michihiko Yamanouchi and Seiji Mitani and Masamitsu Hayashi and Hideo Ohno},
journal= {arXiv preprint arXiv:1308.1751},
year = {2013}
}