铁磁三层膜中手性畴壁的非对称脱钉
介观与纳米尺度物理
2020-11-24 v1 材料科学
摘要
我们表明，由非磁性间隔层分隔的两个铁磁层之间的耦合可用于控制畴壁脱钉并诱导单向畴壁传播。我们研究了 CoFeB/Ti/CoFeB 三层膜，其中顶层 CoFeB 层的磁化易轴为面外，底层为面内。利用磁光克尔效应显微镜，我们发现垂直磁化 CoFeB 层中畴壁的脱钉受面内层磁化取向的影响，这导致了场驱动的非对称畴扩张。该效应源于畴壁内禀磁化与面内 CoFeB 层磁化之间的磁耦合，其打破了垂直 CoFeB 层中上-下与下-上同手性 Néel 畴壁的对称性。微磁模拟支持这些发现，表明层间耦合或阻碍或促进畴壁中的 Dzyaloshinskii-Moriya 相互作用，从而在脱钉场中产生不平衡。该效应也允许人为控制缺乏强 Dzyaloshinskii-Moriya 相互作用的磁层中畴壁的手性与动力学。
引用
@article{arxiv.2011.11290,
title = {Asymmetric depinning of chiral domain walls in ferromagnetic trilayers},
author = {Mark C. H. de Jong and Can Onur Avci and Aleš Hrabec and Pietro Gambardella},
journal= {arXiv preprint arXiv:2011.11290},
year = {2020}
}
备注
21 pages, 6 figures