Y 取代 TmVO4 中无序诱导的局部应变分布
强关联电子
2024-02-28 v1
摘要
我们报告了通过低温热容测量研究在 中用 Y 取代 Tm 的效应，其中钇含量 从 变化到 。由于 Tm 离子支持局部四极（向列）矩，它们充当材料局部应变状态的报告者，离子非 Kramers 晶体场基态的分裂与每个离子单独经历的平面内四方对称性破缺横向和纵向应变的平方和成正比。因此，对热容的分析提供了对化学取代产生的局部应变分布的详细见解。这些局部应变抑制了 时的长程四极有序，并在更高浓度下导致宽化的肖特基 (Schottky) 型特征。将热容数据与非相关（随机）应变分布的预期进行了比较。对于稀薄的 Tm 浓度，热容无法用随机分布的应变来解释，证明了位点之间存在显著的应变关联。对于中间的 Tm 浓度，这些关联必须仍然存在，但数据无法与从二维高斯分布获得的数据区分开来。文中讨论了这些极限之间的交叉，涉及取代材料中关键长度尺度的相互作用。这项工作的核心结果是，化学取代产生的局部应变不是不相关的，这对基于随机有效场的理论模型的有效性范围具有启示意义，这些模型用于描述此类化学取代材料，特别是在存在电子向列关联时。
引用
@article{arxiv.2402.17049,
title = {Disorder-induced local strain distribution in Y-substituted TmVO4},
author = {Yuntian Li and Mark P. Zic and Linda Ye and W. Joe Meese and Pierre Massat and Yanbing Zhu and Rafael M. Fernandes and Ian R. Fisher},
journal= {arXiv preprint arXiv:2402.17049},
year = {2024}
}