通过电子掺杂铜氧化物中的电子拉曼吸收解析单粒子能隙
超导电性
2007-05-23 v1 强关联电子
摘要
在电子掺杂铜氧化物的欠掺杂到最佳掺杂区域，理论上怀疑存在超导（SC）和反铁磁（AFM）序的共存。准粒子激发可能被两种序都打开能隙，有效能隙在动量空间中是具有非单调d波特征的。或者，该能隙也被推测为纯配对能隙。使用有效的微观模型，我们考虑了准粒子能隙在电子拉曼光谱中的表现，在一系列掺杂水平下，SC和AFM序参数的相对强度会变化。我们证明，从电子拉曼光谱中，有效的单粒子能隙可以分解为来自两种不同序的贡献。这将有助于判断非单调能隙是否是由于SC和AFM序的共存所致。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0610724,
title = {Disentangling single-particle gap by electronic Raman absorption in electron-doped cuprates},
author = {Hong-Yan Lu and Qiang-Hua Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0610724},
year = {2007}
}
备注
5 pages, 3 figures