解耦 Si 衬底上 Ge 微晶中的非辐射复合过程
材料科学
2016-07-14 v1
摘要
我们通过利用在深图形化 Si 衬底上生长的微米级 Ge 晶体阵列中的表面钝化和位错管理，探讨了非辐射复合路径。低温下的时间衰减光致发光(PL)揭示了带隙工程化 Ge 微晶中接近 45 ns 的载流子寿命。该研究提供了关于辐射带边跃迁与位错及自由表面对载流子俘获之间竞争相互作用的引人注目的信息。此外，对 PL 温度依赖性的深入分析，结合电容数据和时域有限差分建模，证明了 GeO2 在钝化 Ge 表面从而增强室温 PL 发射方面的有效性。
引用
@article{arxiv.1603.08700,
title = {Disentangling nonradiative recombination processes in Ge micro-crystals on Si substrates},
author = {F. Pezzoli and A. Giorgioni and K. Gallacher and F. Isa and P. Biagioni and R. W. Millar and E. Gatti and E. Grilli and E. Bonera and G. Isella and D. J. Paul and Leo Miglio},
journal= {arXiv preprint arXiv:1603.08700},
year = {2016}
}