交变磁性 CrSb 中方向依赖的传导极性

CrSb 作为一种交变磁性候选材料近期受到了极大关注。本工作通过霍尔效应和塞贝克热电势测量，实验观测了交变磁性 CrSb 中方向依赖的传导极性 (DDCP)。在 CrSb 六方晶体中，沿 c 轴的传导由空穴主导，而在 ab 平面内由电子主导。密度泛函理论 (DFT) 计算表明，CrSb 中的 DDCP 源于多载流子机制，即位于不同能带中的电子和空穴主导沿不同晶向的传导。此外，DFT 预测 DDCP 存在于费米能级附近的狭窄能量窗口内，且对微小掺杂水平敏感。这一预测通过空穴掺杂的 Cr$_{0.98}$V$_{0.02}$Sb 中 DDCP 的消失得到了实验验证。这些发现突显了 CrSb 中可调电子行为的潜力，为需要在单一材料中同时具备 p 型和 n 型功能的器件应用提供了有前景的途径。