交替磁体 CrSb 中磁阻与霍尔电阻率的标度行为

交替磁体的发现标志着磁性材料的重大进展，它结合了铁磁性和反铁磁性的特征。在本信中，我们关注 CrSb，它已被证实为一种 AM，并在费米能级附近表现出显著的自旋劈裂。在成功生长高质量 CrSb 单晶后，我们进行了全面的磁化、磁阻和霍尔电阻率测量，以及电子结构和费米面计算，还有磁输运性质数值模拟。重新确认了在 $T_{N}$ = 712 K 发生反铁磁转变。研究发现，实验测得的 MR 和霍尔电阻率均与数值模拟结果一致，并表现出明显的标度行为。非线性霍尔电阻率源于其多带结构，而非反常霍尔效应。特别是，首次在 AM 材料中观察到霍尔电阻率的标度行为。这些发现表明，CrSb 的磁输运性质源于其本征电子结构，并由洛伦兹力主导。