CuBi 中自旋霍尔效应的直接 X 射线探测
材料科学
2021-07-07 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
自旋霍尔效应及其逆效应是重要的自旋-电荷转换机制。即便在非磁性导体中，直接自旋霍尔效应也会因自旋轨道耦合由横向电荷电流诱导出表面自旋积累。然而，大多数探测方案涉及额外界面，导致所报道数据存在较大离散。在此，我们在高 Bi 掺杂 Cu（Cu_{95}Bi_{5}）的 Cu L_{3,2} 吸收边进行了无界面 X 射线谱学测量。探测到的 X 射线磁圆二色性（XMCD）信号对应于在探测深度内平均的每个 Cu 原子 (2.7 +/- 0.5) x 10-12 {\mu}_{B} A^{-1} cm^{2} 的感应磁矩，其与通过磁光学测得的 Pt 处于同一数量级。结果凸显了无界面测量对于评估材料参数的重要性，以及 CuBi 在自旋-电荷转换应用中的潜力。
引用
@article{arxiv.2107.02620,
title = {Direct X-ray detection of the spin Hall effect in CuBi},
author = {Sandra Ruiz-Gómez and Rubén Guerrero and Muhammad W. Khaliq and Claudia Fernández-González and Jordi Prat and Andrés Valera and Simone Finizio and Paolo Perna and Julio Camarero and Lucas Pérez and Lucía Aballe and Michael Foerster},
journal= {arXiv preprint arXiv:2107.02620},
year = {2021}
}