零磁场下 $p$ 型 Si/Si$_{1-x}$Ge$_x$ 异质结构的扩散热电势
介观与纳米尺度物理
2010-10-26 v1
摘要
我们计算了低温零磁场下 型 Si/SiGe 晶格失配异质结构中简并二维空穴气的扩散热电势。研究了可能的散射机制（例如远程杂质、合金无序、界面粗糙度、形变势和随机压电效应）对空穴迁移率和扩散热电势的影响。计算结果与近期报道的实验数据吻合良好。此外，我们预测了扩散热电势随 SiGe 层厚度变化而改变符号的可能性，该效应此前尚未被讨论。
引用
@article{arxiv.1010.5162,
title = {Diffusion thermopower of a $p-$type Si/Si$_{1-x}$Ge$_x$ heterostructure at zero magnetic field},
author = {Huan Tran Doan and Hai Nguyen Phuc},
journal= {arXiv preprint arXiv:1010.5162},
year = {2010}
}
备注
This is the final version of the preprint arXiv:cond-mat/0603816