二维石墨烯热电势理论
介观与纳米尺度物理
2009-12-29 v1 无序系统与神经网络
摘要
受近期实验[1-3]的启发，我们计算了石墨烯的热电势，其中包含了各种输运散射时间的能量依赖性。我们发现，屏蔽带电杂质散射为测量到的热电势提供了合理的解释。计算得到的热电势在高密度下表现为1/√n行为，但在低密度下趋于饱和。我们还发现，热电势随归一化温度T/T_F缩放，且不依赖于杂质密度，但强烈依赖于精细结构常数r_s和杂质的位置。我们讨论了石墨烯热电势中与莫特公式的偏差，并利用有效介质理论计算了电子-空穴坑主导的低载流子密度区域的热电势。
引用
@article{arxiv.0902.1749,
title = {Theory of thermopower in 2D graphene},
author = {E. H. Hwang and E. Rossi and S. Das Sarma},
journal= {arXiv preprint arXiv:0902.1749},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 3 figures