用于CdTe探测器的低噪声前端ASIC研制
仪器与探测器
2020-09-02 v1 天体物理仪器与方法
高能物理 - 实验
摘要
我们展示了用于碲化镉双面条带探测器（CdTe DSDs）读取与高分辨能谱成像的最新ASIC。该芯片采用0.35 um CMOS工艺（X-Fab XH035）实现，包含64个读取通道，并具有对每个通道同时进行AD转换的功能。在未将ASIC连接任何探测器时，测得等效噪声电荷为54.9 e- +/- 11.3 e-（rms）。利用CdTe单面条带探测器进行能谱测量，在13.9 keV处获得1.12 keV（FWHM）的能量分辨率，并探测到能量从6.4 keV到122.1 keV的光子。基于实验结果，我们提出了一种利用整形器后接峰值检测电路的压摆率限制模式的新型低噪声读取架构。
引用
@article{arxiv.2009.00158,
title = {Development of a Low-noise Front-end ASIC for CdTe Detectors},
author = {Tenyo Kawamura and Tadashi Orita and Shin'ichiro Takeda and Shin Watanabe and Hirokazu Ikeda and Tadayuki Takahashi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2009.00158},
year = {2020}
}
备注
6 pages, 10 figures, accepted for publication in Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, A