通过 SENSEI 中的电子反冲探测非弹性暗物质

低阈值实验 SENSEI 使用超低噪声硅 Skipper-CCD 来探索来自晕中的轻暗物质，已经实现了对轻 DM-电子散射截面的最严格限制。在这项工作中，我们利用 SENSEI 数据研究了非弹性 DM-电子散射过程，并推导了以 $U(1)$ 规范玻色子为媒介子的非弹性暗物质模型的约束。与弹性散射过程相比，我们发现质量分裂 $\delta \equiv m_{\chi_2}-m_{\chi_1}<0$ 的下散射过程受到更强的约束，而 $\delta>0$ 的上散射过程得到的限制更弱。对于质量分裂 $\delta \sim -5$ eV 的下散射过程，DM 质量 $m_{\chi}$ 可以被排除到低至 0.1 MeV。