用量子微波电路探测Al-InAs界面的诱导 $p \pm ip$ 配对
超导电性
2022-05-12 v3 介观与纳米尺度物理
量子物理
摘要
超导体-半导体杂化器件是若干量子信息处理方案的核心，但其基本性质仍有待理解。我们将二维Al-InAs杂化系统嵌入谐振微波电路中，探测由外加磁场引起的超导性破坏。我们发现了来自该杂化系统双组分性质的强烈指纹，并与一个理论进行定量比较，该理论包含了InAs中带内 配对的贡献，以及由磁场引起的Bogoliubov-Fermi面的出现。分别分辨Al与InAs的贡献使我们能够确定InAs中的载流子密度与迁移率。
引用
@article{arxiv.2107.03695,
title = {Detecting induced $p \pm ip$ pairing at the Al-InAs interface with a quantum microwave circuit},
author = {D. Phan and J. Senior and A. Ghazaryan and M. Hatefipour and W. M. Strickland and J. Shabani and M. Serbyn and A. P. Higginbotham},
journal= {arXiv preprint arXiv:2107.03695},
year = {2022}
}
备注
7+20 pages, 5+17 figures