用于低维系统光学自旋检测的准横向 p-n 结设计
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
本文综述了一种可生产任意形状准横向 2D 电子和空穴气体 p-n 结的技术。该技术可在多种半导体异质结构中实现。本文重点讨论其在 GaAs/AlGaAs 材料体系中的实现，并论述了如何利用该结构用于低维系统的光学自旋检测。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0411130,
title = {Design of quasi-lateral p-n junction for optical spin-detection in low-dimensional systems},
author = {B. Kaestner and D. G. Hasko and D. A. Williams},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0411130},
year = {2007}
}
备注
Extract from PhD dissertation, 18 pages, 9 figures