V2H中随深度变化的临界行为
材料科学
2013-05-29 v3 统计力学
摘要
利用X射线漫散射，我们研究了V2H有缺陷“表层”中一个有序-无序相变的临界行为。在表层中，存在取向垂直于表面的位错线壁。壁内位错线的密度随深度连续减小。我们发现，由于这种缺陷的非均匀分布，相变实际上发生在随深度变化的局部临界温度下。我们提出了一个随深度变化的标度律来描述相应的临界有序行为。
引用
@article{arxiv.0902.2414,
title = {Depth-dependent critical behavior in V2H},
author = {Charo I. Del Genio and Johann Trenkler and Kevin E. Bassler and Peter Wochner and Dean R. Haeffner and George F. Reiter and Jianming Bai and Simon C. Moss},
journal= {arXiv preprint arXiv:0902.2414},
year = {2013}
}
备注
5 pages, 4 figures