近双轴性诱导的近晶 A - 近晶 C 三临界点处近晶相的 de Vries 行为
软凝聚态物质
2009-11-13 v1 材料科学
摘要
我们证明了近晶 A 和 C 相的广义 Landau 理论表现出双轴性诱导的 AC 三临界点。接近该三临界点的程度取决于系统中的取向有序度；对于足够大的取向有序度，AC 相变是 3D XY 型的，而对于足够小的取向有序度，它要么是三临界的，要么是一阶的。我们研究了三临界点附近三种类型的 AC 相变中的每一种，并表明对于每种类型的相变，小的取向有序度意味着层间距中的 de Vries 行为，即异常小的层收缩。这一结果与 de Vries 的“弥散锥”模型一致，并且可以用该模型来理解。此外，我们表明双折射在进入 C 相时会增长。对于连续相变，相变越接近三临界点，这种增长越快。我们的模型还预测了双折射具有非单调温度依赖性的可能性。
引用
@article{arxiv.0812.2716,
title = {De Vries Behavior in Smectics near a Biaxiality Induced Smectic A - Smectic C Tricritical Point},
author = {Karl Saunders},
journal= {arXiv preprint arXiv:0812.2716},
year = {2009}
}