电流局域化与再分布作为 NbOx 中电流控制型不连续负微分电阻的基础
应用物理
2019-10-17 v2 材料科学
摘要
利用原位热反射成像表明，基于 NbOx 的器件中电流控制型负微分电阻（CC-NDR）的不连续回跳模式是电流局域化与再分布的直接结果。电流局域化被证明源于导电细丝的形成（在电形成过程中）或由于薄膜电导率的超线性温度依赖导致的电流分叉。回跳响应则源于低电流密度区与高电流密度区之间的电流再分布，由高电流密度区内电导率的快速增加所引发。进一步表明，该再分布取决于低电流密度区的相对电阻，NbOx 交叉点器件的特征在薄膜电导率、面积、厚度和温度的临界值处于连续与不连续回跳模式之间转变，与预言一致。这些结果清楚地表明，回跳是一种源于氧化物薄膜内电流局域化与再分布的普适响应，而非材料特定的相变，从而解决了一个长期存在的争议。
引用
@article{arxiv.1906.08980,
title = {Current localisation and redistribution as the basis of discontinuous current controlled negative differential resistance in NbOx},
author = {Sanjoy Kumar Nandi and Shimul Kanti Nath and Assaad El Helou and Shuai Li and Xinjun Liu and Peter E. Raad and Robert G. Elliman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.08980},
year = {2019}
}
备注
21 Pages