Si(553)-Au 的电流依赖周期性
材料科学
2014-05-21 v2
摘要
我们利用扫描隧道显微镜(STM)研究了Si(553)-Au上的准一维原子链。在Si台阶边缘观察到的周期性可以通过STM改变，并依赖于隧道电流的大小。在最近的一篇报道中，这种可逆的结构转变被归因于瞬态掺杂，其特征时间尺度为几毫秒。本文我们探索了在宽温度范围内STM形貌随隧道电流大小的演化。基于形貌线轮廓的分解和详细的傅里叶分析，我们得出结论：所有观察到的电流依赖的STM形貌都可以用两个涨落台阶边缘结构的时间平均线性组合来解释。这些数据还揭示了沿台阶边缘两种相的特征STM特征的精确相对排列。我们建立了一个简单的相图，给出了这些相对STM形貌的相对贡献随隧道电流和温度的变化。隧道电流涨落的时间和电流依赖测量揭示了两个不同的转变区域，它们与表面单胞内两个特定的电流注入位置有关。提出了一种基于空间分辨I(z)曲线的方法，能够对贡献相进行定量分析。
引用
@article{arxiv.1402.6646,
title = {Current-Dependent Periodicities of Si(553)-Au},
author = {S. Polei and P. C. Snijders and K. -H. Meiwes Broer and I. Barke},
journal= {arXiv preprint arXiv:1402.6646},
year = {2014}
}
备注
submitted, 6 figures