从隧穿到非相干（体）传输的横截
强关联电子
2009-11-10 v1
摘要
我们计算了金属-阻挡-金属器件的junction电阻，当阻挡调节至金属-绝缘体相变的绝缘侧。我们发现，随着阻挡厚度增加，低温下隧穿行为与高温下非相干传输行为之间的横截由广义Thouless能量所支配。该横截温度可由器件的低温电阻和阻挡体的密度状态估计得出。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0401100,
title = {Crossover from tunneling to incoherent (bulk) transport in a correlated nanostructure},
author = {J. K. Freericks},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0401100},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 3 figures, to appear in Applied Physics Letters