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弱无序半导体与半金属中的临界输运

介观与纳米尺度物理 2015-04-29 v3 量子气体 强关联电子

摘要

受 Weyl 半金属和弱掺杂半导体的启发,我们研究了具有幂律准粒子色散关系 ξkkα\xi_{\bf k}\propto k^\alpha 的弱无序半导体中的输运现象。我们表明,在 2α2\alpha 维空间中,短程关联无序会经历来自能带中所有能量的对数重正化。我们利用由 ε=2αd\varepsilon=2\alpha-d 展开控制的重整化群研究了通用维度 dd 的情形。在临界维度以上,电导率作为无序强度的函数表现出局域化 - 去局域化相变或急剧 crossover(取决于哈密顿量的对称性)。我们利用此分析计算了 Weyl 半金属和弱掺杂半导体在临界无序点附近及以下的低温电导率。

关键词

引用

@article{arxiv.1402.3737,
  title  = {Critical transport in weakly disordered semiconductors and semimetals},
  author = {S. V. Syzranov and L. Radzihovsky and V. Gurarie},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1402.3737},
  year   = {2015}
}

备注

5 pages, 3 figures + 4 pages, 4 figures of Supplemental Material; as published