弱无序半导体与半金属中的临界输运
介观与纳米尺度物理
2015-04-29 v3 量子气体
强关联电子
摘要
受 Weyl 半金属和弱掺杂半导体的启发,我们研究了具有幂律准粒子色散关系 的弱无序半导体中的输运现象。我们表明,在 维空间中,短程关联无序会经历来自能带中所有能量的对数重正化。我们利用由 展开控制的重整化群研究了通用维度 的情形。在临界维度以上,电导率作为无序强度的函数表现出局域化 - 去局域化相变或急剧 crossover(取决于哈密顿量的对称性)。我们利用此分析计算了 Weyl 半金属和弱掺杂半导体在临界无序点附近及以下的低温电导率。
引用
@article{arxiv.1402.3737,
title = {Critical transport in weakly disordered semiconductors and semimetals},
author = {S. V. Syzranov and L. Radzihovsky and V. Gurarie},
journal= {arXiv preprint arXiv:1402.3737},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 3 figures + 4 pages, 4 figures of Supplemental Material; as published