四分之一填充t-J模型的临界二聚化强度
强关联电子
2009-10-31 v1
摘要
我们使用小团簇上的精确对角化技术来研究四分之一填充下二聚化t-J模型的基态。针对具有与有机导体对应的空间二聚化模式的二维晶格，计算了等时电荷和自旋关联、电荷和自旋能隙以及结合能。我们表明，两种二聚化效应（即跳跃积分中的二聚化和交换相互作用中的二聚化）之间的竞争导致了模型基态中的绝缘体-超导体转变。由此给出了相图。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9805346,
title = {Critical Dimerization Strength of the Quarter-Filled t-J Model},
author = {S. Nishimoto and Y. Ohta},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9805346},
year = {2009}
}
备注
4 pages with 4 gif figures. Hardcopies of figures (or the entire manuscript) can be obtained by e-mail request to [email protected]