随机局部吸附偏好存在下的临界 Casimir 力

我们研究了 Ising 普适类中薄膜几何结构下的临界 Casimir 力。我们在一个约束表面上采用均匀吸附偏好，而相对表面则表现出淬火无序，从而导致随机局部吸附偏好。无序由参数 $p$ 表征，该参数平均测量偏好某一组分的表面部分，因此 $p=0, 1$ 对应于均匀吸附偏好。通过改进哈密顿量的蒙特卡洛模拟和有限尺寸标度分析，我们确定了临界 Casimir 力。我们表明，通过调节无序参数 $p$，系统表现出从吸引力到排斥力的交叉。在 $p=1/2$ 时，无序允许有效地实现 Dirichlet 边界条件，而这在经典流体中通常是无法获得的。我们的结果与二元液体混合物中临界 Casimir 力的实验实现相关。